P-channel thin-film transistor and process for producing the p-channel thin-film transistor

WO2010010802 Art A1 28. Januar 2010

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010010802
Aktenzeichen: EP09800316
Anmeldetag: 3. Juli 2009
Veröffentlichung: 28. Januar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

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Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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