Semiconductor device and method for manufacturing same
WO2010010911
Art A1
28. Januar 2010
Anmelder: NEC Corporation, Renesas Electronics Corporation, Nec Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010010911
- Aktenzeichen
- EP09800425
- Anmeldetag
- 23. Juli 2009
- Veröffentlichung
- 28. Januar 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H05K3/46H01L23/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NEC Corporation
Renesas Electronics Corporation
Nec Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
19.509 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.