Metal oxide semiconductor devices having implanted carbon diffusion retardation layers and methods for fabricating the same

WO2010011293 Art A1 28. Januar 2010

Anmelder: Globalfoundries Inc. 🇰🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010011293
Aktenzeichen: EP09788968
Anmeldetag: 21. Juli 2009
Veröffentlichung: 28. Januar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/265H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Globalfoundries Inc.
Land: 🇰🇾 KY

🇰🇾 GlobalFoundries

GlobalFoundries ist ein Halbleiterhersteller, der als Auftragsfertiger (Foundry) Chips für zahlreiche Kunden produziert; die Gesellschaft ist auf den Cayman Islands registriert. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software. Die Anmeldungen von 2000 bis 2018 betreffen unter anderem Kontaktstrukturen und Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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