Silicon etchant and etching method

WO2010013562 Art A1 4. Februar 2010

Anmelder: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010013562
Aktenzeichen: EP09802807
Anmeldetag: 25. Juni 2009
Veröffentlichung: 4. Februar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/308H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Gas Chemical Company

Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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