Defect review device and method, and program

WO2010013665 Art A1 4. Februar 2010

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010013665
Aktenzeichen: EP09802908
Anmeldetag: 27. Juli 2009
Veröffentlichung: 4. Februar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: G01N23/225G01B15/00H01L21/66G06T1/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

3.840 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Software & Datenverarbeitung

Vertreten von