High density flash memory cell device, cell string and fabrication method therefor

WO2010013886 Art A2 4. Februar 2010

Anmelder: SNU R&DB Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010013886
Aktenzeichen: EP09803091
Anmeldetag: 8. Mai 2009
Veröffentlichung: 4. Februar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SNU R&DB Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 SNU R&DB Foundation

Südkoreanische Stiftung der Seoul National University für Forschungsförderung und Technologietransfer, verwaltet Patente und Kooperationen mit der Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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