Transistor with embedded si/ge material having enhanced boron confinement

WO2010014251 Art A2 4. Februar 2010

Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010014251
Aktenzeichen: EP09789049
Anmeldetag: 31. Juli 2009
Veröffentlichung: 4. Februar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

2.407 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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