Semiconductor devices with extended active regions

WO2010014287 Art A1 4. Februar 2010

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2010014287
Aktenzeichen
EP09803306
Anmeldetag
11. Mai 2009
Veröffentlichung
4. Februar 2010
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/76H01L21/336H01L21/8244
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Freescale Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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