Semiconductor devices with extended active regions
WO2010014287
Art A1
4. Februar 2010
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010014287
- Aktenzeichen
- EP09803306
- Anmeldetag
- 11. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 4. Februar 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/76H01L21/336H01L21/8244
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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