Nonvolatile semiconductor memory device
WO2010018715
Art A1
18. Februar 2010
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010018715
- Aktenzeichen
- EP09806611
- Anmeldetag
- 24. Juni 2009
- Veröffentlichung
- 18. Februar 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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