Semiconductor device and manufacturing method therefor

WO2010018779 Art A1 18. Februar 2010

Anmelder: Keio University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010018779
Aktenzeichen: EP09806671
Anmeldetag: 6. August 2009
Veröffentlichung: 18. Februar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/065H01L25/07H01L25/18H01Q7/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Keio University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Keio University

Die Keio University ist eine private Universität in Tokio, Japan, die in zahlreichen Fachrichtungen von Wirtschaft bis Ingenieurwissenschaften lehrt und forscht.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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