Method for completely eliminating charge trap from the source (or drain) and the bulk region of a vertical transistor

WO2010018912 Art A1 18. Februar 2010

Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010018912
Aktenzeichen: EP09806774
Anmeldetag: 22. April 2009
Veröffentlichung: 18. Februar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

1.309 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von