Microwave introduction mechanism, microwave plasma source and microwave plasma processing device
WO2010021382
Art A1
25. Februar 2010
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010021382
- Aktenzeichen
- EP09808318
- Anmeldetag
- 21. August 2009
- Veröffentlichung
- 25. Februar 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065H01L21/205H01L21/31H05H1/46
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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