Methods for increasing carbon nano-tube (cnt) yield in memory devices

WO2010022097 Art A1 25. Februar 2010

Anmelder: SanDisk 3D, LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010022097
Aktenzeichen: EP09791632
Anmeldetag: 18. August 2009
Veröffentlichung: 25. Februar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00C01B31/02D01F11/12H01L51/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk 3D, LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

308 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Textiltechnik

Vertreten von