Using a cap layer in metallization systems of semiconductor devices as a cmp and etch stop layer
WO2010022969
Art A1
4. März 2010
Anmelder: Advanced Micro Devices, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010022969
- Aktenzeichen
- EP09778186
- Anmeldetag
- 28. August 2009
- Veröffentlichung
- 4. März 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/321H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Advanced Micro Devices, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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