A structured strained substrate for forming strained transistors with reduced thickness of active layer
WO2010022972
Art A1
4. März 2010
Anmelder: Advanced Micro Devices, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010022972
- Aktenzeichen
- EP09778190
- Anmeldetag
- 28. August 2009
- Veröffentlichung
- 4. März 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L21/84H01L21/762H01L27/12H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Advanced Micro Devices, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
1.708 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.