Low cost mos transistor for rf applications

WO2010023608 Art A2 4. März 2010

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010023608
Aktenzeichen: EP09787003
Anmeldetag: 24. August 2009
Veröffentlichung: 4. März 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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