Field-effect transistor, method for manufacturing same, and sputtering target

WO2010023889 Art A1 4. März 2010

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010023889
Aktenzeichen: EP09809545
Anmeldetag: 26. August 2009
Veröffentlichung: 4. März 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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