Method for forming amorphous carbon nitride film, amorphous carbon nitride film, multilayer resist film, method for manufacturing semiconductor device, and storage medium in which control program is stored

WO2010024037 Art A1 4. März 2010

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010024037
Aktenzeichen: EP09809692
Anmeldetag: 30. Juni 2009
Veröffentlichung: 4. März 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/36C23C16/34G03F7/40H01L21/027H01L21/318H01L21/312

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von