Method and device for manufacturing field-effect transistor
WO2010024279
Art A1
4. März 2010
Anmelder: Ulvac, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010024279
- Aktenzeichen
- EP09809930
- Anmeldetag
- 26. August 2009
- Veröffentlichung
- 4. März 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L21/203H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Ulvac, Inc.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
ULVAC
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.
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