Process for producing silicon oxide thin film or silicon oxynitride compound thin film and thin film obtained by the process

WO2010024378 Art A1 4. März 2010

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010024378
Aktenzeichen: EP09810026
Anmeldetag: 28. August 2009
Veröffentlichung: 4. März 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/312H01L21/316H01L21/318H01L51/50H05B33/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.788 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von