Method for forming compound epitaxial layer, compound epitaxial layer, semiconductor laminate structure, and semiconductor light emitting device

WO2010024411 Art A1 4. März 2010

Anmelder: KANAGAWA ACADEMY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, The University of Tokyo, Mitsubishi Chemical Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010024411
Aktenzeichen: EP09810059
Anmeldetag: 28. August 2009
Veröffentlichung: 4. März 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/203C23C14/34H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: KANAGAWA ACADEMY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
The University of Tokyo
Mitsubishi Chemical Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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🇯🇵 Mitsubishi Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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