Methods of forming a photoresist-comprising pattern on a substrate

WO2010024988 Art A2 4. März 2010

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010024988
Aktenzeichen: EP09810416
Anmeldetag: 23. Juli 2009
Veröffentlichung: 4. März 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027G03F7/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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