High density helicon plasma source for wide ribbon ion beam generation

WO2010025099 Art A2 4. März 2010

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010025099
Aktenzeichen: EP09810484
Anmeldetag: 24. August 2009
Veröffentlichung: 4. März 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H05H1/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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