Static random access memory comprising a current source, and method to put memory cells of such a memory into sleep or write mode using said current source

WO2010026500 Art A1 11. März 2010

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010026500
Aktenzeichen: EP09786878
Anmeldetag: 10. August 2009
Veröffentlichung: 11. März 2010
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/412G11C11/413

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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