Memory device and method thereof

WO2010027547 Art A1 11. März 2010

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010027547
Aktenzeichen: EP09811883
Anmeldetag: 25. Juni 2009
Veröffentlichung: 11. März 2010
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/10G11C5/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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