Method for forming aluminum-doped metal carbonitride gate electrodes

WO2010027715 Art A1 11. März 2010

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010027715
Aktenzeichen: EP09811972
Anmeldetag: 22. August 2009
Veröffentlichung: 11. März 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/337H01L29/808

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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