Methods and solutions for preventing the formation of metal particulate defect matter upon a substrate after a plating process
WO2010027950
Art A2
11. März 2010
Anmelder: Lam Research 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010027950
- Aktenzeichen
- EP09812099
- Anmeldetag
- 1. September 2009
- Veröffentlichung
- 11. März 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C18/16C23C18/18C23C18/54
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Lam Research
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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