Method of forming a nanoscale three-demensional pattern in a porous semiconductor
WO2010027962
Art A2
11. März 2010
Anmelder: The Board of Trustees of the University of Illinois 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010027962
- Aktenzeichen
- EP09812105
- Anmeldetag
- 1. September 2009
- Veröffentlichung
- 11. März 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/306
Abstract
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Anmelder
- Firma
- The Board of Trustees of the University of Illinois
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Board of Trustees of the University of Illinois
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