Method of predicting fraction defective, program of predicting fraction defective, method of controlling semiconductor manufacturing device, and method of manufacturing semiconductor device

WO2010032631 Art A1 25. März 2010

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010032631
Aktenzeichen: EP09814476
Anmeldetag: 4. September 2009
Veröffentlichung: 25. März 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/82G01R31/28H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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