Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

WO2010032913 Art A1 25. März 2010

Anmelder: Electronics and Telecommunications Research Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010032913
Aktenzeichen: EP09814729
Anmeldetag: 15. Mai 2009
Veröffentlichung: 25. März 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/24C23C16/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Electronics and Telecommunications Research Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 ETRI (Electronics and Telecommunications Research Institute)

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon. Forscht in Telekommunikation, Halbleitertechnik, künstlicher Intelligenz, Rundfunktechnik und Informations- und Kommunikationstechnologien.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von