Resistance-variable memory device including carbide-based solid electrolyte membrane and manufacturing method thereof

WO2010036001 Art A2 1. April 2010

Anmelder: Gwangju Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010036001
Aktenzeichen: EP09816394
Anmeldetag: 22. September 2009
Veröffentlichung: 1. April 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Gwangju Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Gwangju Institute of Science and Technology

Das Gwangju Institute of Science and Technology ist eine staatliche technische Hochschule in Südkorea mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt durch Mess- und Prüftechnik sowie organische Chemie. Anmeldungen reichen von 2004 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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