Selective chemical etch method for mram freelayers

WO2010037572 Art A1 8. April 2010

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010037572
Aktenzeichen: EP09780049
Anmeldetag: 1. Juli 2009
Veröffentlichung: 8. April 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3213C23F1/28C23F1/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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