Silicon oxynitride film and process for production thereof, computer-readable storage medium, and plasma cvd device

WO2010038888 Art A1 8. April 2010

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010038888
Aktenzeichen: EP09817917
Anmeldetag: 29. September 2009
Veröffentlichung: 8. April 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31C23C16/42C23C16/511H01L21/318H01L21/8247H01L27/115H01L29/78H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von