Silicon oxide film, method for forming silicon oxide film, and plasma cvd apparatus

WO2010038900 Art A1 8. April 2010

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010038900
Aktenzeichen: EP09817927
Anmeldetag: 30. September 2009
Veröffentlichung: 8. April 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/31H01L21/318

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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