Cross-Point Type Resistance-Varying Memory
WO2010041325
Art A1
15. April 2010
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010041325
- Aktenzeichen
- EP08877273
- Anmeldetag
- 9. Oktober 2008
- Veröffentlichung
- 15. April 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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