Memory apparatus, systems and methods
WO2010042521
Art A2
15. April 2010
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010042521
- Aktenzeichen
- EP09819757
- Anmeldetag
- 6. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 15. April 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G06F3/06G06F13/14G06F12/00G06F9/46
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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