Sputtering apparatus, thin film forming method and method for manufacturing field effect transistor
WO2010044235
Art A1
22. April 2010
Anmelder: Ulvac, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010044235
- Aktenzeichen
- EP09820413
- Anmeldetag
- 9. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 22. April 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Ulvac, Inc.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
ULVAC
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.
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