Sputtering apparatus, method for forming thin film, and method for manufacturing field effect transistor
WO2010044257
Art A1
22. April 2010
Anmelder: ULVAC, INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010044257
- Aktenzeichen
- EP09820435
- Anmeldetag
- 14. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 22. April 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/35C23C14/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ULVAC, INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
ULVAC
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.
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