Through electrode substrate, method for manufacturing the through electrode substrate, and semiconductor device using the through electrode substrate

WO2010044315 Art A1 22. April 2010

Anmelder: Dai Nippon Printing Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010044315
Aktenzeichen: EP09820493
Anmeldetag: 26. August 2009
Veröffentlichung: 22. April 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3205H01L21/288H01L23/52H01L25/065H01L25/07H01L25/18H01L29/84H05K1/11H05K3/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Dai Nippon Printing Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Dai Nippon Printing

Japanisches Unternehmen der Druckindustrie mit Sitz in Tokio, das sich über klassische Druckerzeugnisse hinaus in Elektronikmaterialien, Displaykomponenten und Verpackungslösungen diversifiziert hat.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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