Single crystal thin film using metal silicide seed layer and method for preparing the same

WO2010044528 Art A1 22. April 2010

Anmelder: Kyungpook National University Industry- Academic Cooperation Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010044528
Aktenzeichen: EP09820678
Anmeldetag: 25. Mai 2009
Veröffentlichung: 22. April 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kyungpook National University Industry- Academic Cooperation Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation

Technologietransfer-Stiftung der staatlichen Kyungpook National University in Südkorea, zuständig für Forschungskooperationen und Patentverwertung. Patente decken ein breites Spektrum universitärer Forschung ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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