Bipolar transistor with an n-type base and method of production
WO2010046449
Art A1
29. April 2010
Anmelder: Epcos AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010046449
- Aktenzeichen
- EP09737448
- Anmeldetag
- 22. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 29. April 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/417H01L29/47H01L29/73H01L29/735
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Epcos AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
EPCOS
Deutscher Hersteller elektronischer Bauelemente wie Kondensatoren und Sensoren mit Sitz in München, seit 2009 Teil des japanischen TDK-Konzerns.
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