Dual-rail sram with independent read and write ports

WO2010046800 Art A1 29. April 2010

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010046800
Aktenzeichen: EP09743917
Anmeldetag: 12. Oktober 2009
Veröffentlichung: 29. April 2010
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/412

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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