Thin-film transistor having high adhesive strength between barrier film and drain electrode and source electrode films

WO2010047040 Art A1 29. April 2010

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation, ULVAC, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010047040
Aktenzeichen: EP09821741
Anmeldetag: 24. September 2009
Veröffentlichung: 29. April 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/28H01L29/417H01L29/423H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Mitsubishi Materials Corporation
ULVAC, Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

1.978 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 ULVAC

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.

1.137 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von