Method for producing metal oxide thin film
WO2010047177
Art A1
29. April 2010
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010047177
- Aktenzeichen
- EP09821877
- Anmeldetag
- 28. August 2009
- Veröffentlichung
- 29. April 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B13/32C01G23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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