Procédé De Fabrication D Un Dispositif Semi-Conducteur

WO2010047288 Art A1 29. April 2010

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010047288
Aktenzeichen: EP09821985
Anmeldetag: 9. Oktober 2009
Veröffentlichung: 29. April 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G02F1/1368H01L21/28H01L21/336H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L51/50H05B33/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von