Method for manufacturing thin film transistor and thin film transistor

WO2010047326 Art A1 29. April 2010

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation, ULVAC, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010047326
Aktenzeichen: EP09822023
Anmeldetag: 20. Oktober 2009
Veröffentlichung: 29. April 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/28H01L21/285H01L21/336H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Mitsubishi Materials Corporation
ULVAC, INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

1.413 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 ULVAC

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.

444 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von