Recessed Drain And Source Areas in Combination With Advanced Silicide Formation in Transistors

WO2010049086 Art A2 6. Mai 2010

Anmelder: Advanced Micro Devices, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010049086
Aktenzeichen: EP09736864
Anmeldetag: 21. Oktober 2009
Veröffentlichung: 6. Mai 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L29/165H01L29/417H01L29/49H01L29/78H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Advanced Micro Devices, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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