Solid-state memory manufacturing method

WO2010050118 Art A1 6. Mai 2010

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010050118
Aktenzeichen: EP09823234
Anmeldetag: 28. September 2009
Veröffentlichung: 6. Mai 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/105H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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