Method of fabricating semi-insulating gallium nitride using an aluminum gallium nitride blocking layer

WO2010051536 Art A1 6. Mai 2010

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010051536
Aktenzeichen: EP09824222
Anmeldetag: 2. November 2009
Veröffentlichung: 6. Mai 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/469

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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