Mems with poly-silicon cap layer
WO2010052682
Art A2
14. Mai 2010
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010052682
- Aktenzeichen
- EP09753217
- Anmeldetag
- 10. November 2009
- Veröffentlichung
- 14. Mai 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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